IXYS IXGP12N60C

Herstellerteilenummer

IXGP12N60C

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsanbieter von IXYS-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Das IXGP12N60C ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit schnellem Schaltverhalten aus der HiPerFAST™-Serie.

Schlüsselmerkmale

– Sperrspannung am Kollektor-Emitter (max.): 600 V

– Kollektor-Strom (Ic) (max.): 24 A

– Puls-Strom (Icm): 48 A

– Vce(on) (max.) bei Vge und Ic: 2,7 V bei 15 V, 12 A

– Max. Leistung: 100 W

– Schaltenergie: 90 μJ (Aus)

– Eingangstyp: Standard

– Gate-Ladung: 32 nC

– Einschalt-/Ausschaltzeit (Td) bei 25°C: 20 ns / 60 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)

– Montagetyp: Durchsteckmontage

– Gehäuse: TO-220-3

Wichtigste Vorteile

– Hochleistungsfähiger, schnell schaltender IGBT

– Vielseitig einsetzbar für verschiedene Anwendungen

– Zuverlässiges und langlebiges Design

Verpackung

Das IXGP12N60C ist in einem standardisierten TO-220-3-Durchsteckgehäuse verpackt.

Lebenszyklus

Das IXGP12N60C ist ein veraltetes Produkt. Kunden sollten sich über unsere Vertriebsleitung auf der Webseite über gleichwertige oder alternative Modelle informieren.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Netzteile

– Motorsteuerungen

– Inverter

– Schweißgeräte

– Industrielle Automatisierung

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für das IXGP12N60C ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, die detaillierten Produktspezifikationen herunterzuladen.

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Kunden wird empfohlen, ein Angebot für das IXGP12N60C über unsere Webseite anzufordern. Nutzen Sie das begrenzte Sonderangebot und fordern Sie jetzt Ihr Angebot an.