Deutsch

| Artikelnummer: | IXFH18N90P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $15.1296 |
| 210+ | $6.037 |
| 510+ | $5.8353 |
| 990+ | $5.736 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247AD (IXFH) |
| Serie | HiPerFET™, Polar |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 540W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5230 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXFH18 |
| IXFH18N90P Einzelheiten PDF [English] | IXFH18N90P PDF - EN.pdf |




IXFH18N90P
IXYS ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb von IXYS-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXFH18N90P ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der HiPerFET™- und Polar-Serie von IXYS. Er ist konzipiert für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 900 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 18 A bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand (Rds(on)) von 600 mΩ bei 10 V Gate-Spannung
Schnelle Schaltzeiten
Hohe Leistungsaufnahme von 540 W
Hervorragende Leistung und Effizienz
Geeignet für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Zuverlässige und langlebige Konstruktion
Gehäuse in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse
Abmessungen: 10,16 mm x 15,24 mm x 4,45 mm
3-Pin-Konfiguration
Ideal für Hochleistungsund Hochtemperaturanwendungen
Das IXFH18N90P ist ein aktives Produkt
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schweißgeräte
Industrieautomatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den IXFH18N90P finden Sie auf unserer Website. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IXFH18N90P auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem Expertenservice zu profitieren.
DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
IXYS TO-247
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
IXYS New
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
MOSFET N-CH TO-247AD
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXYS New
MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
IXFH20N80 IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
MOSFET N-CH 200V 180A TO247
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/11
2024/06/14
2025/01/26
2025/03/28
IXFH18N90PIXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|