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| Artikelnummer: | IXDD609YI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS Integrated Circuits Division |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.8779 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 35V |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263-5 |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 22ns, 15ns |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 9A, 9A |
| Ladestrom | Single |
| Grundproduktnummer | IXDD609 |
| IXDD609YI Einzelheiten PDF [English] | IXDD609YI PDF - EN.pdf |




IXDD609YI
IXYS Integrated Circuits Division ist ein hochwertiger Vertriebspartner der Marke IXYS und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXDD609YI ist ein Hochgeschwindigkeits-, Hochstrom-Gatttreiber für einzelne Kanäle, geeignet für IGBT, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltgeräte. Er ist ausgelegt, um eine effiziente und zuverlässige Gatttreiberleistung für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen zu gewährleisten.
Schneller Betrieb mit Anstiegszeit von 22 ns und Abfallzeit von 15 ns
Fähigkeit, bis zu 9 A Spitzenstrom (Quelle und Senke) zu treiben
Breiter Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 35 V
Betrieb in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Integrierte Schutzfunktionen wie Unterspannungsabschaltung und Überstromerkennung
Erhältlich in einem platzsparenden TO-263-6 (D2PAK)-Gehäuse
Effiziente und zuverlässige Gatttreiber für IGBT, N-Kanalund P-Kanal-MOSFETs
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronikund Steuerungsanwendungen
Kompaktes und thermisch verbessertes Gehäuse für Räumeinschränkungen
Robuste Schutzfunktionen sorgen für zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen
Der IXDD609YI ist in einem TO-263-6 (D2PAK)-Gehäuse verpackt. Dieses Oberflächenmontagegehäuse bietet eine kleine Stellfläche und hervorragende thermische Eigenschaften, ideal für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt IXDD609YI ist aktiv erhältlich. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle von IXYS Integrated Circuits Division. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um weitere Informationen zu erhalten.
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Das offizielle Datenblatt für den IXDD609YI ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Designinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den IXDD609YI anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
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