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| Artikelnummer: | IXBT10N170 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1700V 20A 140W TO268 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $18.7422 |
| 210+ | $7.4789 |
| 510+ | $7.2289 |
| 990+ | $7.1053 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1700 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 10A |
| Testbedingung | 1360V, 10A, 56Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 35ns/500ns |
| Schaltenergie | 6mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-268AA |
| Serie | BIMOSFET™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 360 ns |
| Leistung - max | 140 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 30 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
| Grundproduktnummer | IXBT10 |
| IXBT10N170 Einzelheiten PDF [English] | IXBT10N170 PDF - EN.pdf |




IXBT10N170
IXYS ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für IXYS-Produkte, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der IXBT10N170 ist ein Hochspannungs-, Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von IXYS. Er gehört zur BIMOSFET™-Serie und ist für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.
Hohe Spannungsfestigkeit von 1700 V
Hoher Strombedarf von bis zu 20 A
Geringer On-State-Spannungsabfall (Vce(on) max. 3,8 V)
Schnelle Schaltzeiten mit Einschaltund Ausschaltzeiten von 35 ns bzw. 500 ns
6 mJ Schaltenergie (Off)
Gate-Ladung von 30 nC
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Hohe Effizienz dank niedrigem On-State-Spannungsabfall
Schnelles Schalten für verbesserte Systemleistung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen
Der IXBT10N170 ist in einem TO-268-3 Gehäuse (D³Pak, 2 Anschlüsse + Kühlfahne) für Oberflächenmontage verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt IXBT10N170 ist ein aktives Produkt, das von IXYS weiterhin hergestellt und unterstützt wird. Aktuell sind keine direkten Ersatzmodelle verfügbar. Für weitere Informationen oder bei Fragen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
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REVERSE CONDUCTING IGBT
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IGBT 3000V 30A 160W TO268
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IXBT10N170IXYS |
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