Deutsch
| Artikelnummer: | IRL3705ZPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1657 |
| 10+ | $0.9822 |
| 30+ | $0.8801 |
| 100+ | $0.7665 |
| 500+ | $0.7155 |
| 1000+ | $0.6922 |
| 2000+ | $0.6849 |
| 4000+ | $0.679 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 52A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 130W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRL3705 |
| IRL3705ZPBF Einzelheiten PDF [English] | IRL3705ZPBF PDF - EN.pdf |




IRL3705ZPBF
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRL3705ZPBF ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er ist Teil der HEXFET®-Serie und wurde für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungswandlung und -steuerung entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
55V Drain-Source-Spannung
75A Dauer-Sperrstrom
8mΩ On-Widerstand
60nC Gate-Ladung
Gehäuse: TO-220AB
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Zuverlässiges und robustes Design für industrielle und automotive Anwendungen
Der IRL3705ZPBF wird im TO-220AB-Durchsteckgehäuse verpackt. Die maximale Verlustleistung beträgt bei einem Gehäusetemperatur von 25°C 130W.
Der IRL3705ZPBF ist für neue Designs nicht mehr empfehlenswert. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden gebeten, unseren Vertrieb über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Leistungswandlung und -steuerung
Motortreiber
Industrieund Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRL3705ZPBF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRL3705ZPBF auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IR TO-220
IRL3705ZL - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IR TO-263
IR TO263
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRL3705ZSTRRPBF IR
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRL3713 IR
IR TO-263
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IR TO-263
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
IRL3705PBF IR
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/15
2025/07/10
2025/01/27
2025/06/19
IRL3705ZPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|