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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7524D1GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7524D1GTRPBF Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies IRF7524D1GTRPBF

Artikelnummer: IRF7524D1GTRPBF
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
Datenblätte:
1.IRF7524D1GTRPBF.pdf ···

Datenblätter

IRF7524D1GPBF.pdf

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
    Vgs (Max) ±12V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 8-uSMD
    Serie FETKY™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
    Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)
    Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
    Typ FET P-Channel
    FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)
    IRF7524D1GTRPBF Einzelheiten PDF [English] IRF7524D1GTRPBF PDF - EN.pdf
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