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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF610
Vishay Siliconix
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Vishay Siliconix IRF610

Artikelnummer: IRF610
Hersteller / Marke: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Datenblätte:
1.IRF610.pdf ···

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Vishay Siliconix IRF610 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix IRF610 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
    Verlustleistung (max) 36W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3
    Paket Tube
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)
    Grundproduktnummer IRF610
    IRF610 Einzelheiten PDF [English] IRF610 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
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    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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    2026/02/28

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