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| Artikelnummer: | IRF5305STRRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1029 |
| 200+ | $0.4268 |
| 500+ | $0.4122 |
| 800+ | $0.4048 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF5305 |
| IRF5305STRRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF5305STRRPBF PDF - EN.pdf |




IRF5305STRRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies (ehemals International Rectifier) und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRF5305STRRPBF ist ein P-Kanal Leistung-MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55V und einem Dauer-Drain-Strom von 31A bei 25°C.
– P-Kanal MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 55V
– Dauer-Drain-Strom von 31A bei 25°C
– Geringer On-Widerstand (60 mΩ)
– Schnelle Schaltgeschwindigkeit
– Geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzschaltanwendungen
– Effiziente Stromwandlung bei niedriger Leistungsdissipation
– Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
– Hervorragende thermische Leistung und hohe Strombelastbarkeit
– Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB
– Montagetype: Oberflächenmontage
– Gerätegehäuse: D2PAK
– Leistungsaufnahme (Max): 3,8 W (Ta), 110 W (Tc)
– Tape & Reel-Verpackung
Das IRF5305STRRPBF ist ein aktiv unterstütztes Produkt. Kunden sollten sich an das Vertriebsteam von Y-IC wenden, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
– Schaltnetzteile
– Motorantriebe
– Wechselrichter
– Lichtsteuerung
– Industrie- und Fahrzeugelektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRF5305STRRPBF ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF5305STRRPBF auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IRF5305STR IR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IR TO-262
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 14A TO262
IRF5305STRPBF IR
IRF5305TRPBF IR
IRF530N IR
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IR TO-263
IR TO-263
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MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
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