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| Artikelnummer: | IDT71V424S10PH |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.3918 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 10ns |
| Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse | 44-TSOP II |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 512K x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | IDT71V424 |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| IDT71V424S10PH Einzelheiten PDF [English] | IDT71V424S10PH PDF - EN.pdf |




IDT71V424S10PH
Renesas Electronics Corporation
Der IDT71V424S10PH ist ein 4-Megabit asynchroner SRAM mit parallelem Speicherschnittstelle. Er bietet eine Speicherorganisation von 512K x 8 und unterstützt eine Schreibzykluszeit sowie eine Zugriffszeit von 10ns.
4-Megabit asynchroner SRAM
Speicherorganisation: 512K x 8
Schreibzykluszeit: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannungsbereich: 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C (TA)
Oberflächenmontage-Gehäuse: 44-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)
Hochleistungsfähiger asynchroner SRAM für vielseitige Anwendungen
Geringer Energieverbrauch
Breiter Spannungsund Temperaturbereich
Gehäusetyp: 44-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)
Gehäuseart: Oberflächenmontage
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IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IDT71V424S10PHRenesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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