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| Artikelnummer: | IDT71V016SA10Y |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 10ns |
| Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.6V |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse | 44-SOJ |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 44-BSOJ (0.400', 10.16mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 1Mbit |
| Speicherorganisation | 64K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | SRAM |
| Grundproduktnummer | IDT71V016 |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| IDT71V016SA10Y Einzelheiten PDF [English] | IDT71V016SA10Y PDF - EN.pdf |




IDT71V016SA10Y
Renesas Electronics Corporation
Das IDT71V016SA10Y ist ein 1-Megabit asynchroner SRAM-Speicherbaustein mit parallelem Interface, organisiert als 64K x 16 Bit. Er arbeitet mit einer Spannung von 3,15 V bis 3,6 V und weist eine maximale Zugriffszeit von 10 ns auf.
1 Mbit asynchroner SRAM-Speicher
Organisation: 64K x 16 Bit
Paralleles Interface
Maximale Zugriffszeit von 10 ns
Betriebsspannung von 3,15 V bis 3,6 V
Hochgeschwindigkeitsleistung mit 10 ns Zugriffszeit
Vielseitiges paralleles Interface
Weites Betriebsspannungsbereich
44-BSOJ (0,400 Zoll, 10,16 mm Breite) Oberflächenmontagegehäuse
44-SOJ Gehäuse
Das IDT71V016SA10Y ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, sich über die Website mit unserem Vertrieb in Verbindung zu setzen, um Informationen zu vergleichbaren oder alternativen Modellen zu erhalten.
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