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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75333P3
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Harris Corporation HUF75333P3

Artikelnummer: HUF75333P3
Hersteller / Marke: Harris Corporation
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Datenblätte: None
RoHs Status: Lead free / RoHs compliant
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
Versandweg: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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  • Harris Corporation HUF75333P3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation HUF75333P3 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-220-3
    Serie UltraFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 66A, 10V
    Verlustleistung (max) 150W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3
    Paket Tube
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

HUF75333P3 Produktdetails

Herstellerteilenummer

HUF75333P3

Hersteller

Harris Corporation

Detaillierte Beschreibung

Der HUF75333P3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse. Er gehört zur UltraFET™-Serie und bietet herausragende Leistungsmerkmale.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal MOSFET

MOSFET-Technologie (Metalloxid)

Drain-Source-Spannung (Vdss) von 55V

Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) von 66A bei 25°C

Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 16mΩ bei 66A, 10V

Maximale Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)) von 4V bei 250μA

Maximale Gate-Ladung (Qg) von 85nC bei 20V

Maximaler Gate-Source-Spannungsbereich (Vgs) von ±20V

Maximaler Eingangskondensator (Ciss) von 1300pF bei 25V

Maximaler Leistungsverbrauch (Pmax) von 150W bei 25°C

Wichtigste Vorteile

Herausragende Leistungseigenschaften, zuverlässige und langlebige Konstruktion, geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen

Verpackung

Taschenverpackung

TO-220-3 Gehäuse

Durchsteckmontage

Lebenszyklus

Dieses Produkt ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich über unsere Verkaufsseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu passenden oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile

Motorantriebe

Industrielle Geräte

Automobile Elektronik

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den HUF75333P3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und technische Informationen zu erhalten.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden können auf unserer Webseite Angebote für den HUF75333P3 anfordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.

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Benutzerbewertung

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    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

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    2026/03/20

  • Jaso***.

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    2026/02/28

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