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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75332S3ST
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Harris Corporation HUF75332S3ST

Artikelnummer: HUF75332S3ST
Hersteller / Marke: Harris Corporation
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Datenblätte: None
RoHs Status:
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
Versandweg: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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  • Harris Corporation HUF75332S3ST technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation HUF75332S3ST .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)
    Serie UltraFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V
    Verlustleistung (max) 145W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Bulk
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

HUF75332S3ST Produktdetails

Herstellerteilenummer

HUF75332S3ST

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der HUF75332S3ST ist ein N-Kanal-MOSFET aus der UltraFET™-Reihe. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 55V, einen dauerhaften Drain-Strom von 60A und niedrigen On-Widerstand.

Schlüsselmerkmale

– N-Kanal-MOSFET\n– 55V Drain-Source-Spannung\n– 60A Dauerbetrieb bei Drainstrom\n– Niedriger On-Widerstand

Wichtigste Vorteile

– Hohe Leistungsfähigkeit\n– Effiziente Energieumwandlung\n– Zuverlässig und langlebig

Verpackung

Der HUF75332S3ST ist in einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage-Gehäuse verpackt.

Lebenszyklus

Der HUF75332S3ST ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen an unser Vertriebsteam auf der Webseite zu wenden.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Netzteile\n– Motorantriebe\n– Industrieelektronik\n– Fahrzeugtechnik

Datenblatt

Das autoritative Datenblatt für den HUF75332S3ST finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen, es herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

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    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

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    2026/03/23

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    2026/03/20

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