Harris Corporation HGTP7N60B3D

Herstellerteilenummer

HGTP7N60B3D

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von Fairchild Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der HGTP7N60B3D ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Fairchild Semiconductor. Er ist für den Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen konzipiert.

Schlüsselmerkmale

– Spannungsfestigkeit Collector-Emitter (Max): 600 V

– Max. Kollektorstrom (Ic): 14 A

– Pulsstrom (Icm): 56 A

– Vce(on) (Max) bei Vge, Ic: 2,1 V bei 15 V, 7 A

– Max. Leistung: 60 W

– Schaltenergie: 160 µJ (Ein), 120 µJ (Aus)

– Eingangstyp: Standard

– Gate-Ladung: 23 nC

– Td (Ein/Aus) bei 25°C: 26 ns / 130 ns

– Prüfbedingungen: 480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V

– Reverse Recovery Time (trr): 37 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

Zuverlässige und effiziente Schaltleistung im Leistungselektonik-Bereich; geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen; robustes Design für Hochtemperaturanwendungen.

Verpackung

Gehäuse: TO-220-3

Lieferanten-Gehäuse: TO-220-3

Rohrverpackung

Lebenszyklus

Der HGTP7N60B3D ist ein veraltetes Produkt. Wir empfehlen Kunden, sich über unsere Webseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Leistungskonverter

Motorantriebe

Schaltende Stromversorgungen

Inverter

Industrielle Geräte

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den HGTP7N60B3D steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

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