Deutsch
| Artikelnummer: | GC11N65K |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Goford Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3868 |
| 10+ | $0.3783 |
| 30+ | $0.3726 |
| 100+ | $0.367 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 78W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |




GC11N65K
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke goford-semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der GC11N65K ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 650V und einem konstanten Drain-Strom von 11A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er ist Teil der Cool MOS™-Reihe, die für ihre hervorragenden Schalteigenschaften und niedrigen On-Widerstand bekannt ist.
N-Kanal-MOSFET
650V Drain-Source-Spannung
11A Dauer-Drainstrom bei 25 °C Gehäusetemperatur
Geringer On-Widerstand von 360 mΩ bei 5,5A, 10V
Cool MOS™-Technologie für überlegene Schaltleistung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Extrem niedriger On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Hervorragende Schalteigenschaften für Hochfrequenzanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Umgebungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der GC11N65K ist ein aktives Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, einschließlich [Liste der Alternativmodelle]
Bei Bedarf an weiterer Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Inverter
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für den GC11N65K ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um die autoritative Information zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
IC WIDEBAND CFR PROCESSOR 256BGA
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
TI BGA
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/08/11
2024/06/14
2025/01/26
2025/03/28
GC11N65KGoford Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|