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| Artikelnummer: | MBR20030CTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 80+ | $83.6126 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 100 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 30 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
| Grundproduktnummer | MBR20030 |
| MBR20030CTR Einzelheiten PDF [English] | MBR20030CTR PDF - EN.pdf |




DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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MBR20030CTRGeneSiC Semiconductor |
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