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| Artikelnummer: | MBR120200CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $161.9854 |
| 200+ | $64.6334 |
| 500+ | $62.4741 |
| 1000+ | $61.4071 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 60 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 mA @ 200 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 60A |
| MBR120200CT Einzelheiten PDF [English] | MBR120200CT PDF - EN.pdf |




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