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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-zenerdioden-EinzelPZM3.0NB,115
PZM3.0NB,115 Image
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

NXP USA Inc. PZM3.0NB,115

Artikelnummer: PZM3.0NB,115
Hersteller / Marke: NXP USA Inc.
Teil der Beschreibung.: DIODE ZENER 3V 300MW SMT3
Datenblätte:
1.PZM3.0NB,115.pdf ···

Datenblätte

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  • NXP USA Inc. PZM3.0NB,115 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. PZM3.0NB,115 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Isolation 95 Ohm
    Spannung - Durchschlag SMT3; MPAK
    Standardpaket 3,000
    Serie -
    RoHS Status Tape & Reel (TR)
    Leistung - max 300mW
    Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Teilstatus Obsolete
    Andere Namen 934046680115
    PZM3.0NB T/R
    PZM3.0NB T/R-ND
    Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
    Hersteller-Teilenummer PZM3.0NB,115
    Impedanz (Max) (Zzt) 3V
    Expanded Beschreibung Zener Diode 300mW ±5% Surface Mount SMT3; MPAK
    ESR (Equivalent Series Resistance) ±5%
    Diodenkonfiguration 10µA @ 1V
    Beschreibung DIODE ZENER 3V 300MW SMT3
    Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.1V @ 100mA
    PZM3.0NB,115 Einzelheiten PDF [English] PZM3.0NB,115 PDF - EN.pdf
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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

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