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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-zenerdioden-EinzelPZM2.7NB,115
PZM2.7NB,115 Image
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

NXP USA Inc. PZM2.7NB,115

Artikelnummer: PZM2.7NB,115
Hersteller / Marke: NXP USA Inc.
Teil der Beschreibung.: DIODE ZENER 2.7V 300MW SMT3
Datenblätte:
1.PZM2.7NB,115.pdf ···

Datenblätte

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  • NXP USA Inc. PZM2.7NB,115 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. PZM2.7NB,115 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Isolation 100 Ohm
    Spannung - Durchschlag SMT3; MPAK
    Standardpaket 3,000
    Serie -
    RoHS Status Tape & Reel (TR)
    Leistung - max 300mW
    Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Teilstatus Obsolete
    Andere Namen 934046670115
    PZM2.7NB T/R
    PZM2.7NB T/R-ND
    Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
    Hersteller-Teilenummer PZM2.7NB,115
    Impedanz (Max) (Zzt) 2.7V
    Expanded Beschreibung Zener Diode 300mW ±5% Surface Mount SMT3; MPAK
    ESR (Equivalent Series Resistance) ±5%
    Diodenkonfiguration 20µA @ 1V
    Beschreibung DIODE ZENER 2.7V 300MW SMT3
    Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.1V @ 100mA
    PZM2.7NB,115 Einzelheiten PDF [English] PZM2.7NB,115 PDF - EN.pdf
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    2026/04/28

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

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    2026/03/31

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