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| Artikelnummer: | MRF9085LSR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 880MHZ NI-780S |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 26 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780S |
| Serie | - |
| Leistung | 90W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-780S |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 17.9dB |
| Frequenz | 880MHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 700 mA |
| Grundproduktnummer | MRF90 |
| MRF9085LSR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF9085LSR3 PDF - EN.pdf |




MRF9085LSR3
NXP Semiconductors / Freescale
Der MRF9085LSR3 ist ein lateral diffundierter Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS)-Transistor, der für den Einsatz in Hochfrequenzleistungsverstärkern (RF) konzipiert wurde, insbesondere im Frequenzbereich von 800 bis 900 MHz.
LDMOS-Transistor-Technologie
Entwickelt für Hochfrequenzleistungsverstärker im Bereich 800–900 MHz
Hoher Verstärkungsfaktor von 17,9 dB
Leistungsabgabe von bis zu 90 W möglich
Zuverlässiges und robustes LDMOS-Design
Hervorragende Leistung bei 880 MHz
Effiziente Leistungsverstärkung für RF-Anwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
Gehäuse/Case NI-780S
Geeignet für automatische Oberflächenmontage
Das Modell MRF9085LSR3 ist ein aktives und verfügbares Produkt.
Es sind keine direkten Entsprechungen oder Alternativmodelle bekannt.
Kunden werden gebeten, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam auf der Webseite zu wenden.
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Das aktuellste und umfassendste Datenblatt für den MRF9085LSR3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
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Zielpreis (USD)
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