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| Artikelnummer: | MRF8S18260HSR6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $60.6995 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 30 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI1230S-8 |
| Serie | - |
| Leistung | 74W |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-1110B |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Rauschmaß | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 17.9dB |
| Frequenz | 1.81GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 1.6 A |
| Konfiguration | Dual |
| Grundproduktnummer | MRF8 |
| MRF8S18260HSR6 Einzelheiten PDF [English] | MRF8S18260HSR6 PDF - EN.pdf |




MRF8S18260HSR6
Y-IC ist ein Qualitätslieferant von NXP Semiconductors-Produkten. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Services.
Der MRF8S18260HSR6 ist ein LDMOS-Doppel-RF-MOSFET, der für Anwendungen bei 1,81 GHz entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch hohe Leistungsfähigkeit und Verstärkung aus.
LDMOS-Technologie
Doppelkonfiguration
Betriebsfrequenz bei 1,81 GHz
Hohe Ausgangsleistung von 74 W
Hohe Verstärkung von 17,9 dB
Herausragende Leistungsund Verstärkungswerte
Zuverlässige LDMOS-Technologie
Doppelkonfiguration für effizientes Design
Gehäuse: SOT-1110B
Lieferantenbauteilpaket: NI1230S-8
Der MRF8S18260HSR6 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über die Webseite bezüglich identischer oder alternativer Modelle zu kontaktieren.
1,81 GHz RF-Leistungsverstärkeranwendungen
Das offizielle Datenblatt für den MRF8S18260HSR6 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Fordern Sie ein Angebot für den MRF8S18260HSR6 auf unserer Webseite an. Begrenztes Angebot!
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8
FET RF 65V 1.96GHZ NI780H
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