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| Artikelnummer: | MRF6S21100HR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 68V 2.17GHZ NI-780 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $14.5128 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 68 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-780H-2L |
| Serie | - |
| Leistung | 23W |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-957A |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 15.9dB |
| Frequenz | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 950 mA |
| Grundproduktnummer | MRF6 |
| MRF6S21100HR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF6S21100HR3 PDF - EN.pdf |




MRF6S21100HR3
NXP USA Inc. (Y-IC ist ein hochwertiger Händler der NXP-Marke und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.)
Der MRF6S21100HR3 ist ein LDMOS-RF-LeistungsmOSFET, entwickelt für Anwendungen im Bereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz. Er bietet hohe Leistung und Effizienz.
- LDMOS-Technologie
- Frequenzbereich: 2,11 GHz bis 2,17 GHz
- Verstärkung: 15,9 dB
- Testspannung: 28 V
- Teststrom: 950 mA
- Ausgangsleistung: 23 W
- Nennspannung: 68 V
- Hohe Leistung und Effizienz
- Zuverlässige LDMOS-Technologie
- Geeignet für Anwendungen im Frequenzbereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz
- Gehäuse / Paket: SOT-957A
- Lieferanten-Package: NI-780H-2L
Dieses Produkt ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich über unsere Website an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
- Drahtlose Infrastruktur
- Radarsysteme
- Satellitenkommunikation
Das autoritativste Datenblatt für den MRF6S21100HR3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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