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| Artikelnummer: | MRF21030LR3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $117.6145 |
| 250+ | $46.9297 |
| 500+ | $45.3611 |
| 1000+ | $44.5868 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-400 |
| Serie | - |
| Leistung | 30W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-400 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 13dB |
| Frequenz | 2.14GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
| Strom - Test | 250 mA |
| Grundproduktnummer | MRF21 |
| MRF21030LR3 Einzelheiten PDF [English] | MRF21030LR3 PDF - EN.pdf |




MRF21030LR3
NXP Semiconductors / Freescale
Der MRF21030LR3 ist ein Hochleistungs-RF-LDMOS-Transistor, der für den Einsatz in drahtlosen Infrastruktur-Anwendungen konzipiert wurde und im Frequenzbereich von 2,1 GHz arbeitet.
LDMOS-Transistortechnologie
Verstärkung von 13 dB bei 2,14 GHz
Ausgangsleistung von 30 W
Betrieb bei 28 V
Ausgezeichnete Leistungsverarbeitung
Hohe Effizienz
Zuverlässige Performance
Gehäuse: NI-400
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Thermische Eigenschaften und elektrische Parameter, geeignet für RF-Anwendungen
Dieses Produkt steht nicht vor der Einstellung der Produktion.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z. B. MRF21020LR3, MRF21040LR3 und MRF21050LR3.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das umfassendste Datenblatt für den MRF21030LR3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
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MRF21030LR3NXP USA Inc. |
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Zielpreis (USD)
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