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| Artikelnummer: | MMRF5014HR5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors |
| Teil der Beschreibung.: | WIDEBAND RF POWER GaN ON SiC TRA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $594.594 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 50 V |
| Spannung - Nennwert | 125 V |
| Technologie | N-Channel |
| Supplier Device-Gehäuse | NI-360H-2SB |
| Serie | - |
| Leistung | 125W |
| Verpackung / Gehäuse | NI-360H-2SB |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 18dB @ 2.5GHz |
| Frequenz | 1MHz ~ 2.7GHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | 5mA |
| Strom - Test | 350 mA |
| Konfiguration | N-Channel |
| MMRF5014HR5 Einzelheiten PDF [English] | MMRF5014HR5 PDF - EN.pdf |




MMRF5014HR5
Y-IC ist ein Qualitätslieferant von NXP Semiconductors Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MMRF5014HR5 ist ein Hochfrequenz-Hochumsetransistor (HEMT) von NXP Semiconductors. Es handelt sich um einen RF-Leistungstransistor, der für den Einsatz in drahtlosen Kommunikationssystemen im Frequenzbereich von 2,5 GHz entwickelt wurde.
Frequenz: 2,5 GHz
Verstärkung: 18 dB
Testspannung: 50 V
Teststrom: 350 mA
Ausgangsleistung: 125 W
Nennspannung: 125 V
Hohe Leistungsabgabe für effiziente drahtlose Kommunikation
Hervorragende RF-Leistung bei 2,5 GHz
Zuverlässige und langlebige HEMT-Technologie
Tape & Reel (TR) Verpackung
Gehäuse: NI-360H-2SB
Montagetyp: Chassis-Montage
Das Produkt MMRF5014HR5 ist ein aktives Bauteil
Derzeit sind keine direkten Ersatzoder Alternativprodukte verfügbar
Kunden sollten sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Website wenden
Drahtlose Kommunikationssysteme
RF-Leistungsverstärker
Basisstationen
Infrastruktur für drahtlose Netzwerke
Das maßgebliche Datenblatt für den MMRF5014HR5 finden Sie auf unserer Webseite. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den MMRF5014HR5 über unsere Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und profitieren Sie von diesem zeitlich begrenzten Angebot.
SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND
MMRF5017HS 30-940 MHZ REFERENCE
TRANS RF N-CH 125W 50V
MMRF5017HS 30-940 MHZ REFERENCE
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V
FET RF 65V 2.7GHZ TO-272
CAP CER 1UF 4V X5R 0204
SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND
2700-3500 MHZ 60 W PEAK 50V WI
TRANS RF LDMOS 250W 50V
IC AMP W-CDMA 1.8-2.17GHZ 24QFN
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
TRANS RF LDMOS 250W 50V
FET RF 65V 940MHZ
FET RF 2CH 70V 940MHZ
RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW
CAP CER 0.47UF 4V X6S 0204
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
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MMRF5014HR5NXP Semiconductors |
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