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| Artikelnummer: | FDB088N08 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0764 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6595 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| FDB088N08 Einzelheiten PDF [English] | FDB088N08 PDF - EN.pdf |




FDB088N08
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N-Kanal 75V 120A (Tc) 160W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
N-Kanal MOSFET
75V Drain-Source-Spannung
120A Dauer-Drain-Strom bei 25°C (Tc)
160W Leistungsverlust bei Tc
Oberflächenmontage Gehäuse DPAK
Hohe Strombelastbarkeit
Geringen On-Widerstand
Effizientes Energiemanagement
Zuverlässige und langlebige Leistung
Reel & Band-Verpackung (TR)
DPAK-Gehäuse (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Entsprechende oder alternative Modelle verfügbar:
- FDB088N08L
- FDB088N08TR-ND
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FDB088N08Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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