Deutsch

| Artikelnummer: | SSR1N60BTF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2461 |
| 200+ | $0.0953 |
| 500+ | $0.0919 |
| 1000+ | $0.0903 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 450mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 900mA (Tc) |
| SSR1N60BTF Einzelheiten PDF [English] | SSR1N60BTF PDF - EN.pdf |




SSR1N60BTF
Fairchild Semiconductor, ein führender Distributor der Marke. Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SSR1N60BTF ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einem Dauer-Drain-Strom von 900 mA bei 25 °C Ablagertemperatur. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungs-Schaltanwendungen geeignet macht.
– N-Kanal-MOSFET
– 600 V Drain-Source-Spannung
– 900 mA Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
– Niedriger On-Widerstand
– Schnelle Schaltgeschwindigkeit
– Effiziente Leistungsschaltung
– Zuverlässiges und langlebiges Design
– Vielseitig einsetzbar in verschiedensten Leistungsanwendungen
Der SSR1N60BTF ist in einem TO-252 (DPAK) Oberflächenmontagegehäuse mit 2 Anschlüssen und einer Abdeckung verpackt. Er erreicht eine Leistungsaufnahme von 2,5 W bei Umgebungstemperatur und 28 W bei Gehäusetemperatur.
Der SSR1N60BTF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie z.B. [Liste der Alternativen, falls vorhanden]. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Beleuchtungsbalast
– Industrielle Steuerungen
Das offizielle Datenblatt für den SSR1N60BTF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SSR1N60BTF auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
KYOCERA SMD
FAIRCHILD TO-252
XX 1206(
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
CMC 21.5MH 1A 2LN TH
SSR1N50A FSC
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
SSR1N60 Original
SSR1N60A FAIRCHILD
SSR1N60BTM_WS Fairchild/ON Semiconductor
KYOCERA SMD
SSR1N60B FAIRCHILD
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
KYOCERA SMD
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
CMC 42.5MH 600MA 2LN TH
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
IGBT Modules
FAIRCHILD TO-252
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/05/30
2024/10/30
2024/08/25
2025/04/17
SSR1N60BTFFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|