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| Artikelnummer: | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8054 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 49W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| RFD12N06RLESM9A Einzelheiten PDF [English] | RFD12N06RLESM9A PDF - EN.pdf |




RFD12N06RLESM9A
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RFD12N06RLESM9A ist ein N-Kanal-MOSFET aus der UltraFET™-Serie von onsemi, mit niedrigem On-Widerstand, hoher Strombelastbarkeit und robustem Design für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energiemanagement.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
– Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C 18 A
– Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 63 mOhm bei 18 A, 10 V
– Schnelle Schaltzeiten
– Robustes Design für zuverlässige Performance
– Effizientes Energiemanagement
– Geringere Leistungsverluste
– Höhere Systemsicherheit
– Kompaktes, platzsparendes Design
– Tape & Reel (TR) Verpackung
– TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlpad), SC-63 Gehäuse
– Oberflächenmontage-Design
– Das RFD12N06RLESM9A ist ein aktiv beworbenes Produkt
– Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich:
- RFD12N06CTRL
- RFD12N06CTRL
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Schaltregler
– Wechselrichter
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das wichtigste Datenblatt für den RFD12N06RLESM9A ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt für umfassende technische Details herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
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RFD12N06RLESM9AFairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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