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| Artikelnummer: | MPS751 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PNP 60V 2A TO92-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6351 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 625 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | 75MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 75 @ 1A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2 A |
| MPS751 Einzelheiten PDF [English] | MPS751 PDF - EN.pdf |




MPS751
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Bipolarer (BJT) Transistor PNP, 60V Collector-Emitter-Spannung, 2A Kollektorstrom, 75MHz Übergangsfrequenz, 625mW Leistungsaufnahme, Gehäuse mit Durchgangsbohrung TO-92-3
PNP-Bipolartransistor (BJT)
60V Collector-Emitter-Spannung
2A Collectorstrom
75MHz Übergangsfrequenz
625mW Leistungsaufnahme
Durchgangsbohrung TO-92-3 Gehäuse
Zuverlässiger und leistungsstarker Transistor
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Einfache Integration in Schaltungsdesigns
Hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften
Schüttgutverpackung
Gehäuse mit Durchgangsbohrung TO-92-3
Anschlussdrähte für einfache Montage und Löten
Dieses Produkt befindet sich nicht am Ende seiner Lebensdauer.
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