Fairchild Semiconductor KSD261CGTA

Herstellerteilenummer

KSD261CGTA

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der KSD261CGTA ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT), hergestellt von onsemi. Es handelt sich um einen Single-Bipolartransistor, der für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

NPN-Transistortyp

Kollektorstrom (Ic) max: 500 mA

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (VCEO) max: 20 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) max: 400 mV bei 50 mA, 500 mA

Kollektorsperrstrom (ICBO) max: 100 nA

DC-Stromverstärkung (hFE) min: 200 bei 100 mA, 1 V

maximale Leistungsaufnahme: 500 mW

Betriebstemperaturbereich: -150 °C bis 150 °C

Wichtigste Vorteile

Vielseitig für allgemeine Verstärkerund Schaltanwendungen

Belastbar bis zu 500 mA Kollektorstrom

Kompakte Bauform im Through-Hole-Gehäuse TO-92-3

Verpackung

Der KSD261CGTA wird in einem TO-92-3 (TO-226AA) Gehäuse mit Durchkontaktierung und Formdrähten geliefert. Die Abmessungen des Gehäuses sowie elektrische und thermische Eigenschaften sind auf den Betrieb des Transistors abgestimmt.

Lebenszyklus

Der KSD261CGTA ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Webseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Allgemeine Verstärkerschaltungen

Schaltanwendungen

Ansteuerung kleiner Lasten

Datenblatt

Das aktuellste Datenblatt für den KSD261CGTA ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.

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