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| Artikelnummer: | HUFA76609D3ST |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 701+ | $0.3997 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 49W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| HUFA76609D3ST Einzelheiten PDF [English] | HUFA76609D3ST PDF - EN.pdf |




HUFA76609D3ST
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N-Kanal MOSFET, 100V Drain-Source-Spannung, 10A Dauer-Drainstrom, 49W Verlustleistung, Oberflächenmontage im TO-252AA Gehäuse
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
10A Dauer-Drainstrom
49W Leistungsabsorption
Oberflächenmontage im TO-252AA Gehäuse
Hervorragende thermische und elektrische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Tape & Reel Verpackung
Gehäuse Typ: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Oberflächenmontage (SMD) erfolgssicher vorgesehen
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle:
- HUFA76609D3STR
- HUFA76609D3STRPBF
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HUFA76609D3STFairchild Semiconductor |
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