Deutsch

| Artikelnummer: | HGTP12N60C3D |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
| Leistung - max | 104 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 48 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 24 A |
| HGTP12N60C3D Einzelheiten PDF [English] | HGTP12N60C3D PDF - EN.pdf |




HGTP12N60C3D
onsemi – Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der HGTP12N60C3D ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (VCEO) bis zu 600 V
Kollektor-Strom (IC) bis zu 24 A
Pulslaststrom (ICM) bis zu 96 A
Geringer Vce(on) von 2,2 V bei 15 V, 15 A
Maximale Verlustleistung von 104 W
Schaltenergie von 380 µJ (Ansteuerung) und 900 µJ (Abschaltung)
Standard-Gate-Eingangstyp
Gate-Ladung von 48 nC
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
Robuste und zuverlässige Leistung, Effiziente Leistungsumwandlung und Steuerung, Geeignet für eine breite Palette von Leistungsanwendungen.
Der HGTP12N60C3D ist in einem TO-220-3-Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Parameter.
Das Produkt HGTP12N60C3D ist veraltet. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Vertriebsseite Y-IC an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu verfügbaren Alternativmodellen oder Ersatzteilen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltregler
Industrielle Steuerungen
Das aktuellste Datenblatt für den HGTP12N60C3D steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den HGTP12N60C3D auf der Y-IC-Website anzufordern. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von wettbewerbsfähigen Preisen und fachkundiger Unterstützung zu profitieren.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, U
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
UFS SERIES N-CH IGBT
HGTP12N60B3D Intersil/FAIRCHILD
HGTP14N0FVLR4600
HGTP12N60B3 Intersil/FAIRCHILD
HGTP12N60B3 G12N60B3 FSC
IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL
HGTP14N41G3 FSC
IGBT 600V 24A TO220-3
HGTP14N40F3VL FAIRCHILD
24A, 600V N-CHANNEL IGBT
HGTP15N120C3 Intersil
IGBT 600V 54A TO220-3
HGTP12N60C3D G12N60C3D FSC
Insulated Gate Bipolar Transisto
15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
HGTP12N60C3DFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|