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| Artikelnummer: | FQPF5N60 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO220F |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| FQPF5N60 Einzelheiten PDF [English] | FQPF5N60 PDF - EN.pdf |




FQPF5N60
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N-Kanal 600V, 2,8A (Tc), 40W (Tc) Durchbruchgehäuse TO-220F
N-Kanal MOSFET
600V Drain-Source-Spannung
2,8A Dauerdrennstrom bei 25°C
40W Verlustleistung bei Tc
Durchbruchgehäuse TO-220F
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Niediger On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige Leistung in verschiedenen Anwendungen
Tubenverpackung
Durchbruchgehäuse TO-220F
Bleifrei und RoHS-konform
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Das offizielle Datenblatt für den FQPF5N60 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Spezifikationen herunterzuladen.
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