Deutsch

| Artikelnummer: | FQP6N80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5015 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 158W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| FQP6N80 Einzelheiten PDF [English] | FQP6N80 PDF - EN.pdf |




FQP6N80
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQP6N80 ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 800 V und einen konstanten Drain-Strom (Id) von 5,8 A bei einer Gehäusetemperatur von 25°C aus.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 800 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 5,8 A bei 25°C
Maximale Rds(on) von 1,95 Ohm bei 2,9 A, 10 V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 31 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer Rds(on) für effiziente Energieumwandlung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen
Durchkontaktierte Gehäusevariante TO-220-3
Der FQP6N80 ist ein veralteter Artikel. Kunden wird empfohlen, sich über unsere Website an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu vergleichbaren oder alternativen Modellen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Industrielle Steuerungen
Das authoritative Datenblatt für den FQP6N80 steht auf unserer Website zum Download bereit. Es wird empfohlen, dieses herunterzuladen.
Kunden werden gebeten, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
FAIRCHILD TO-220
6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL,
ON TO-220
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/04/27
2025/01/15
2024/04/13
2025/06/16
FQP6N80Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|