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| Artikelnummer: | FQI7N80TU |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| FQI7N80TU Einzelheiten PDF [English] | FQI7N80TU PDF - EN.pdf |




FQI7N80TU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung
6,6A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
3,13W Leistungsaufnahme bei Ta, 167W bei Tc
Durchloch-Package I2PAK (TO-262)
Hochspannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Wärmeableitung
Zuverlässige Durchloch-Befestigung
Verpackungsart: Tube
Gehäusetyp: TO-262-3 Long Leads, IPak, TO-262AA
Gerätegehäuse: I2PAK (TO-262)
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme 3,13W bei Ta, 167W bei Tc
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V, Dauer-Drain-Strom (Id) 6,6A bei 25°C
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