Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF

Herstellerteilenummer

FGB7N60UNDF

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der FGB7N60UNDF ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) vom Typ Non-Punch-Through (NPT) von onsemi. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen konzipiert.

Schlüsselmerkmale

– Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (max.): 600 V

– Max. Kollektorstrom (Ic): 14 A

– Pulsbetriebener Kollektorstrom (Icm): 21 A

– Vce(on) (max.) bei Vge, Ic: 2,3 V @ 15 V, 7 A

– Maximale Leistung: 83 W

– Schaltenergie: 99 µJ (Ein), 104 µJ (Aus)

– Eingangstyp: Standard

– Gate-Ladung: 18 nC

– T_on/off (bei 25°C): 5,9 ns / 32,3 ns

– Reverse Recovery Time (trr): 32,3 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

– Hochleistungsfähige NPT-IGBT-Technologie

– Effiziente Leistungsumwandlung und Steuerung

– Weitreichender Betriebstemperaturbereich

– Zuverlässiges und robustes Design

Verpackung

Gehäuse / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Tab), TO-263AB

Gerätegehäuse: TO-263 (D2PAK)

Lebenszyklus

Der FGB7N60UNDF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Leistungsumwandlung und -steuerung

Motorantriebe

Wechselrichter

Schweißgeräte

Industrielle Automatisierung

Datenblatt

Das qualifizierteste Datenblatt für den FGB7N60UNDF ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.

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