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| Artikelnummer: | FGA40S65SH |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19.2ns/68.8ns |
| Schaltenergie | 194µJ (on), 388µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | - |
| Leistung - max | 268 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 73 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80 A |
| FGA40S65SH Einzelheiten PDF [English] | FGA40S65SH PDF - EN.pdf |




FGA40S65SH
Y-IC ist ein Qualitätsdistributeur von onsemi-Produkten. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FGA40S65SH ist ein Single-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) von onsemi. Es handelt sich um einen Trench-Field-Stop-IGBT mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einem maximalen Kollektor-Strom von 80 A.
Trench-Field-Stop-IGBT
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V
Maximaler Kollektor-Strom von 80 A
Maximaler pulsförmiger Kollektor-Strom von 120 A
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,81 V
Hohe Strombelastbarkeit
Geringe Leitungungsverluste
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
TO-3P-3, SC-65-3 Gehäuse
Durchkontaktierte Montage
Dieses Produkt ist veraltet.
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FGA40S65SHFairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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