Deutsch

| Artikelnummer: | FDMS8050ET30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3455 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 750µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | Power56 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65mOhm @ 55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.3W (Ta), 180W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22610 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 55A (Ta), 423A (Tc) |
| FDMS8050ET30 Einzelheiten PDF [English] | FDMS8050ET30 PDF - EN.pdf |




FDMS8050ET30
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMS8050ET30 ist ein hochleistungsfähiger N-Kanal-MOSFET aus der PowerTrench®-Serie von onsemi. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungsverwaltung und Schaltelektronik konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung bis zu 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Ta): 55A, (Tc): 423A
Geringen On-Widerstand (0,65 mΩ bei 55A, 10V)
Hohe Leistungsaufnahme (3,3 W bei Ta, 180 W bei Tc)
Großer Temperaturbereich (-55°C bis 175°C)
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Effiziente Wärmeableitung
Zuverlässige und robuste Performance
Vielseitig einsetzbar in unterschiedlichen Anwendungsbereichen
Tape & Reel Verpackung
8-PowerTDFN-Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Optimierte thermische und elektrische Eigenschaften
Der FDMS8050ET30 ist für neue Designs nicht mehr empfohlen.
Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam bezüglich verfügbarer Ersatzoder Alternativmodelle zu kontaktieren.
Stromversorgungsund Steuerkreise
Motorsteuerungen
Schaltnetzteile
Industrielle und automotive Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt zum FDMS8050ET30 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für die neuesten Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FDMS8050ET30 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, informieren Sie sich weiter oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
FAIRCHILD MLP56
FAIRCHILD QFN
FAI QFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
FAIRCHILD Power-56-8
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
FAIRCHILD QFN8
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
FAIRCHILD QFN
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FAIRCHILD Power-56-8
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 40V 44A POWER56
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
FDMS8050ET30Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|