Deutsch

| Artikelnummer: | FDMS8027S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4122 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
| Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 36W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1815 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 22A (Tc) |
| FDMS8027S Einzelheiten PDF [English] | FDMS8027S PDF - EN.pdf |




FDMS8027S
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMS8027S ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET im PowerTrench® SyncFET™ Gehäuse. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungsverwaltung konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
PowerTrench® SyncFET™ Technologie
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 18A (Ta), 22A (Tc)
Maximale On-Widerstand von 5mOhm bei 18A, 10V
Maximale Gate-Ladung von 31nC bei 10V
Hervorragender On-Widerstand für hohe Effizienz
Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzbetrieb
Zuverlässige Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen
Tap & Reel (TR) Verpackung
8-PQFN (5x6) Gehäuse
Geeignet für Oberflächenmontageanwendungen
Das Produkt FDMS8027S ist aktiv erhältlich
Vergleichbare oder alternative Modelle:
- FDMS8027
Bei Bedarf wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Leistungsmanagement
Switching-Netzteile
DC-DC-Wandler
Motorantriebe
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Das autoritative Datenblatt für den FDMS8027S steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, dieses für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
FAIRCHILD Power-56-8
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FAIRCHILD QFN8
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FAI QFN
FAIRCHILD MLP56
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
1-ELEMENT, N-CHANNEL
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FAIRCHILD QFN
FAIRCHILD Power56
FAIRCHILD Power-56-8
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
FDMS8027SFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|