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| Artikelnummer: | FDMS8026S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 314+ | $0.9128 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
| Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 41W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 22A (Tc) |
| FDMS8026S Einzelheiten PDF [English] | FDMS8026S PDF - EN.pdf |




FDMS8026S
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMS8026S ist ein Hochleistungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET in einem kompakten 8-PQFN-Gehäuse (5x6). Er ist Teil der PowerTrench®- und SyncFET™-Serie und wurde für eine Vielzahl von, Energieverwaltungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 19A (Ta), 22A (Tc)
Geringer On-Widerstand: 4,3 mΩ bei 19A, 10V
Gate-Ladung (Qg) von 37nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Effizienz und geringer Energieverlust
Kompaktes und platzsparendes Design
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
8-PowerTDFN-Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der FDMS8026S ist ein veraltetes Produkt.
Kunden wird empfohlen, sich über unsere Vertriebsseite mit unserem Verkaufsteam in Verbindung zu setzen, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energiemanagement
Schaltanwendungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das autoritative Datenblatt für den FDMS8026S ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten einzusehen.
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MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FAIRCHILD Power-56-8
FAIRCHILD Power-56-8
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
1-ELEMENT, N-CHANNEL
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
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Zielpreis (USD)
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