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| Artikelnummer: | FDMS0352S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5004 |
| 200+ | $0.1935 |
| 500+ | $0.1877 |
| 1000+ | $0.1833 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | * |
| Paket | Bulk |
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| FDMS0352S Einzelheiten PDF [English] | FDMS0352S PDF - EN.pdf |




FDMS0352S
Fairchild Semiconductor
Der FDMS0352S ist ein einzelner N-Kanal PowerTrench®-MOSFET mit einer Drain-Quelle-Spannung von 30V und einem Dauer-Draid-Strom von 26A (Ta) bzw. 42A (Tc).
N-Kanal MOSFET
PowerTrench®-Technologie
Drain-Quelle-Spannung: 30V
Dauer-Drain-Strom: 26A (Ta), 42A (Tc)
Geringer On-Widerstand: 2,4 mΩ bei 25A und 10V
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für bessere Effizienz
Optimiert für Schaltanwendungen
Gehäuse: 8-PowerTDFN
Oberflächenmontage
8-PQFN (5x6), Power56
Produktstatus: aktiv
Entsprechende/Alternative Modelle: Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Webseite für weitere Informationen zu equivalenten oder alternativen Modellen.
Schaltanwendungen
Stromversorgungen
Motortreiber
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das umfassendste Datenblatt für den FDMS0352S steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
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