Deutsch

| Artikelnummer: | FDME910PZT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9529 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-PowerUFDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2110 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
| FDME910PZT Einzelheiten PDF [English] | FDME910PZT PDF - EN.pdf |




FDME910PZT
ON Semiconductor (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der FDME910PZT ist ein P-Kanal PowerTrench MOSFET von ON Semiconductor mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 8A.
P-Kanal MOSFET
PowerTrench® Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 8A
Geringer Rds(on): 24mΩ
Hohe Effizienz und geringe Leistungsverluste
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geeignet für Hochleistungs-Schaltanwendungen
Gehäuse/Typ: 6-PowerUFDFN
Lieferanten-Gehäuse: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Oberflächenmontage
Produktstatus: Veraltet
Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden wird empfohlen, das Verkaufsteam über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Hochleistungs-Schaltanwendungen
Stromversorgungskreise
Motorsteuerung
Das umfassendste Datenblatt für den FDME910PZT steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie ein Angebot an, um mehr über dieses Produkt zu erfahren.
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
SWITCHING REGULATOR, SMART POWER
FAIRCHILD DFN
FAIRCHILD QFN
INDUSTRIALNET 8-PORT DIN RAIL F
MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 31PQFN
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMF3005 FAIRCHI
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET
FAIRCHILD DFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
IC HALF BRIDGE DRIVER 20A 36QFN
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
FAIRCHILD QFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
FDME910PZTFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|