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| Artikelnummer: | FDMD8560L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $15.5756 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-Power 5x6 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 22A, 10V |
| Leistung - max | 2.2W |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11130pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A, 93A |
| FDMD8560L Einzelheiten PDF [English] | FDMD8560L PDF - EN.pdf |




FDMD8560L
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der FDMD8560L ist ein 2-N-Kanal-Halbleiter-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter) aus der PowerTrench®-Serie von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60V und einen maximalen Dauer-Drain-Strom (Id) von 22A bei 25°C.
2-N-Kanal-Halbleiter-MOSFET-Konfiguration
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60V
Maximaler Dauer-Drain-Strom (Id) von 22A bei 25°C
Maximale On-Resistance (Rds(on)) von 3,2mOhm bei 22A, 10V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 128nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hochleistungsfähiges, low-Resistance-MOSFET
Effiziente Energieumwandlung und Steuerung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Der FDMD8560L ist im Cut Tape (CT)-Format verpackt. Es verwendet ein 8-PowerWDFN-Gehäuse mit einer 5x6-Fußabdruck.
Der FDMD8560L ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Schaltregler
Das offizielle Datenblatt für den FDMD8560L ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FDMD8560L auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
FET ENGR DEV-NOT REL
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
MOSFET 2N-CH 100V
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
FET ENGR DEV-NOT REL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET 2N-CH 30V 35A
MOSFET 2N-CH 100V
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 2N-CH 30V 35A
MOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6
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FDMD8560LFairchild/ON Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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