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| Artikelnummer: | FDMD8280 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 12-Power3.3x5 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 11A, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Verpackung / Gehäuse | 12-PowerWDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | FDMD82 |
| FDMD8280 Einzelheiten PDF [English] | FDMD8280 PDF - EN.pdf |




FDMD8280
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Mosfet-Array mit 2 N-Kanal (Dual), 80V Drain-Source-Spannung, 11A Dauerstrom, 1W Leistungsaufnahme, Oberflächenmontage, 12-Power3.3x5 Gehäuse.
2 N-Kanal (Dual) FETs
80V Drain-Source-Spannung (Vdss)
11A Dauerstrom (Id) bei 25°C
1W Leistungsfähigkeit
Gehäuse für Oberflächenmontage
Hohe Leistungsdichte
Geringer On-Widerstand
Ideal für Hochstromanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
12-PowerWDFN Gehäuse
Gehäusegröße 12-Power3.3x5
RoHS-konform
Dieses Produkt befindet sich nicht in der bevorstehenden Auslaufphase.
Gleichwertige/Alternative Modelle: Keine. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam auf unserer Website für weitere Informationen.
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Motorsteuerung
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