Deutsch
| Artikelnummer: | FDD86326 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2324 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D-PAK (TO-252AA) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta), 37A (Tc) |
| FDD86326 Einzelheiten PDF [English] | FDD86326 PDF - EN.pdf |




FDD86326
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Der FDD86326 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 80 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 8 A bei Ta, sowie 37 A bei Tc. Das Bauteil ist für die Oberflächenmontage im D-PAK-Gehäuse (TO-252) ausgelegt und ist ideal für vielfältige elektronische Anwendungen.
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung von 80 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 8 A (Ta) / 37 A (Tc)
Leistungsaufnahme von 3,1 W (Ta) / 62 W (Tc)
Oberflächenmontage im D-PAK-Gehäuse (TO-252)
Robuste und zuverlässige Performance
Hohe Strombelastbarkeit
Effiziente Wärmeableitung
Kompakte Bauform im Oberflächenmontagegehäuse
Cut Tape (CT) Verpackung
D-PAK (TO-252) Gehäuse
2 Anschlüsse + Tab
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Dieses Produkt ist nicht von einer Einstellung betroffen.
Entsprechende oder alternative Modelle:
- FDD86300CT
- FDD86301CT
- FDD86302CT
Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf der Y-IC Website.
Energieverwaltung
Motorsteuerung
Schaltende Stromversorgungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle technische Datenblatt für den FDD86326 ist auf der Y-IC Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, dieses für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf der Y-IC Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie dieses zeitlich begrenzte Angebot.
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
MOSFET N-CH 150V 50A TO252
VBSEMI TO-252
VB TO-252
FAIRCHILD SOT252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel
2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
FDD86326Fairchild |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|