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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD7N60NZTM
Fairchild Semiconductor
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Fairchild Semiconductor FDD7N60NZTM

Artikelnummer: FDD7N60NZTM
Hersteller / Marke: Fairchild (onsemi)
Teil der Beschreibung.: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Datenblätte: None
RoHs Status: Lead free / RoHs compliant
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
Versandweg: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
Aktie:
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vorrätig: 36200 Pcs Stock

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  • Fairchild Semiconductor FDD7N60NZTM technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor FDD7N60NZTM .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
    Vgs (Max) ±25V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)
    Serie UniFET-II™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
    Verlustleistung (max) 90W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Paket Bulk
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)
    FDD7N60NZTM Einzelheiten PDF [English] FDD7N60NZTM PDF - EN.pdf
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

FDD7N60NZTM Produktdetails

Herstellerteilenummer

FDD7N60NZTM

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitäts-Distributor der Produkte der Marke onsemi und stellt sicher, dass Kunden die besten Produkte und einen exzellenten Service erhalten.

Detaillierte Beschreibung

Der FDD7N60NZTM ist ein N-Kanal UniFET-II™ MOSFET von onsemi, konzipiert für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieumwandlung und Steuerung.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal MOSFET

MOSFET (Metalloxid) Technologie

600 V Drain-Source-Spannung

5,5 A Dauerbelastbarer Drain-Strom

Maximaler Rds(on) von 1,25 Ω

Maximaler Gate-Ladung von 17 nC

Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C

Wichtigste Vorteile

Effiziente Energieumwandlung und Steuerung

Zuverlässige Leistung bei Hochspannungsanwendungen

Kompakte Oberflächenmontage (SMD) Verpackung

Verpackung

TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63 Oberflächemontage-Gehäuse

Lebenszyklus

Der FDD7N60NZTM ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich für Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen an unser Vertriebsteam auf der Website zu wenden.

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile

Motorspannungssteuerungen

Industrielle Steuerungen

Wechselrichter

Schaltregler

Datenblatt

Das offiziellste Datenblatt für den FDD7N60NZTM steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.

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Benutzerbewertung

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    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

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    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

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    2026/01/28

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