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| Artikelnummer: | FDD6680A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 197+ | $1.4229 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| FDD6680A Einzelheiten PDF [English] | FDD6680A PDF - EN.pdf |




FDD6680A
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N-Kanal 30V 14A (Ta), 56A (Tc) 2,8W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage D-PAK (TO-252)
N-Kanal MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
14A Dauer-Drain-Strom (Ta), 56A (Tc)
2,8W Leistungsaufnahme (Ta), 60W (Tc)
Oberflächenmontage D-PAK (TO-252) Gehäuse
RoHS-konform
Hohe Leistungsfähigkeit
Effiziente Wärmeabfuhr
Zuverlässiges Oberflächenmontage-Design
Erfüllt RoHS-Richtlinien
Rollen& Streifenverpackung (Tape & Reel)
D-PAK (TO-252) Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Das FDD6680A ist ein aktiviertes Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Website.
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