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| Artikelnummer: | FDB3502 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 41W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 815 pF @ 40 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta), 14A (Tc) |
| FDB3502 Einzelheiten PDF [English] | FDB3502 PDF - EN.pdf |




FDB3502
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der onsemi-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB3502 ist ein N-Kanal-MOSFET aus der PowerTrench-Serie von onsemi. Es handelt sich um einen hochleistungsfähigen LeistungsmOSFET, der für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromumwandlung und -steuerung entwickelt wurde.
75V Drain-Source-Spannung (Vdss)
6A Dauer-Drainstrom (ID) bei 25°C Umgebungstemperatur
14A Dauer-Drainstrom (ID) bei 25°C Gehäuse
Geringer On-Widerstand (RDS(on)) von 47mΩ bei 6A, 10V
Voll spezifiziert für eine maximale Bereichstemperatur von 150°C
PowerTrench®-Technologie für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Hohe Strombelastbarkeit und niedriger On-Widerstand für eine verbesserte Effizienz
Robustes PowerTrench®-Design für erhöhte Zuverlässigkeit
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromumwandlung und -steuerung
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
2 Anschlüsse + Tab-Konfiguration
Besonders geeignet für Hochleistungsanwendungen aufgrund seiner thermischen und elektrischen Eigenschaften
Der FDB3502 ist ein aktives Produkt und es sind keine Pläne zur Einstellung bekannt.
Vergleichbare oder alternative Modelle sind möglicherweise verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Stromumwandlung (Schaltnetzteile, Motorantriebe usw.)
Stromsteuerung (Beleuchtung, Industrie und Unterhaltungselektronik)
Fahrzeugtechnik und Automotive-Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den FDB3502 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FDB3502 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um mehr über dieses Produkt zu erfahren und von unseren zeitlich begrenzten Angeboten zu profitieren.
ON TO-263
TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
FDB33N25 Original
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
F TO-263A
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
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2025/02/11
2025/02/27
FDB3502Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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