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| Artikelnummer: | FDB3632_F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.688 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 310W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
| FDB3632_F085 Einzelheiten PDF [English] | FDB3632_F085 PDF - EN.pdf |




FDB3632_F085
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Fairchild/ON Semiconductor Markenprodukten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB3632_F085 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse (TO-263AB). Er ist für den Einsatz in automotive und industriellen Anwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
12A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 9 mΩ
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
DPAK-Gehäuse (TO-263AB)
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Geeignet für Automotive und Industrieanwendungen
Zuverlässige und robuste Leistung
DPAK-Gehäuse (TO-263AB)
Digi-Reel Verpackung
Dieses Produkt steht nicht vor dem Auslauf.
Es sind Äquivalente und alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
AutomobilElektronik
Industrielle Netzteile
Motorsteuerung
Schaltregler
Das anerkannteste Datenblatt für den FDB3632_F085 ist auf unserer Webseite verfügbar. Empfohlen wird, es herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen zu erhalten.
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FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
1-ELEMENT, N-CHANNEL
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
FDB3652_F085 Fairchild/ON Semiconductor
TO-263
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
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FDB3632_F085FAIRCHILD |
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Zielpreis (USD)
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