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| Artikelnummer: | FDB33N25TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1722 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 235W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2135 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 33A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDB33N25 |
| FDB33N25TM Einzelheiten PDF [English] | FDB33N25TM PDF - EN.pdf |




FDB33N25TM
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für onsemi-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB33N25TM ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand, schnelle Schaltzeiten und hohe Leistungsfähigkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsmanagementanwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Hohe Drain-Source-Spannung (250 V)
Niedriger On-Widerstand (94 mΩ)
Hoher Dauer-Drainstrom (33 A)
Schnelle Schaltzeiten
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 °C bis 150 °C)
Herausragende Energieeffizienz
Zuverlässige und robuste Leistung
Vielseitig einsetzbar in Leistungsmanagementanwendungen
Der FDB33N25TM ist in einem TO-263 (D2PAK) Gehäuse für die Oberflächemontage verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute Wärmeableitung und elektrische Eigenschaften, ideal für Hochleistungsanwendungen.
Der FDB33N25TM ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den FDB33N25 und FDB33N25STM. Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über unsere Website zu kontaktieren, um Verfügbarkeit und Eignung dieser Modelle zu klären.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den FDB33N25TM steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden sollten es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterladen.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Website ein Angebot für den FDB33N25TM anzufordern. Erhalten Sie jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere zeitlich begrenzten Angebote.
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