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| Artikelnummer: | FDB14N30TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1105 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 140W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
| FDB14N30TM Einzelheiten PDF [English] | FDB14N30TM PDF - EN.pdf |




FDB14N30TM
Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB14N30TM ist ein Hochvolt-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er ist Teil der UniFET™-Serie und wurde für eine Vielzahl von Stromwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
300V Drain-Source-Spannung
14A Dauerstrom
Niediger On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich
Herausragende Leistung bei Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Zuverlässiges und robustes Design
Effiziente Energieumwandlung und Schaltfunktion
Tapes & Reels (TR)
TO-263 (D2PAK) Gehäuse
3 Anschlüsse + Kühlblech
Für Oberflächenmontage geeignet
Der FDB14N30TM ist ein veraltetes Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z.B.: FDB14N30, FDB14N30F, FDB14N30FM
Energieumwandlung
Motorsteuerungen
Schaltregler
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das umfassendste technische Datenblatt für den FDB14N30TM ist auf unserer Website verfügbar. Es wird Kunden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Anforderungen zu finden.
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
FAIRCHILD TO-263(D2PAK)
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
FDB14AN06L_F085 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
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MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
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FDB14N30TMFairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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