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| Artikelnummer: | FDD86580_F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | FSC |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3279 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tj) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| FDD86580_F085 Einzelheiten PDF [English] | FDD86580_F085 PDF - EN.pdf |




FDD86580_F085
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke Fairchild/ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDD86580_F085 ist ein diskreter N-Kanal-MOSFET in einem D-Pak Oberflächenmontagegehäuse.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V
Kontinuerlicher Drain-Strom (Id) von 50 A bei 25°C
On-Widerstand (Rds(on)) von 19 mΩ bei 50 A, 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hohe Leistungsdichte
Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz
Robustes Design für Automobilund Industrieanwendungen
Verpackungsart: Band & Rolle (TR)
Gehäuse/Package: TO-252-3, D-Pak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63
Lieferanten-Gehäuse: D-Pak
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